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 10. 마이크로-나노 복합체를 가지는 친수성과 소수성의 조절이 가능한 소자 및 그 제조방법

영문명

Device with controllable hydrophilic and hydrophobic surface using trans-scale micro-nano complex and its manufacturing method

공동특허자

최양규, 옥타이 야리마가, 안재혁

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2009-0127852

출원일

2009.12.21

등록번호

등록일



 9. 열 분포 상태 분석방법 및 테스트 필름 형성방법

영문명

THERMAL DISTRIBUTION STATE ANALYSIS METHOD AND FORMING METHOD OF TEST FILM

공동특허자

최양규, 옥타이 야리마가, 최지민, 김종만, 이수미

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2009-0087889

출원일

2009.09.17

등록번호

등록일



 8. 차지펌핑을 이용한 바이오센서, 바이오센서 소자, 바이오센서 소자의 제조방법 및 바이오 물질 검출 방법

영문명

BIOSENSOR USING CHARGE PUMPING, BIOSENSOR DEVICE, BIOSENSOR DEVICE OF MANUFACTURING METHOD AND METHOD OF DETECTING A BIO MATERIAL

공동특허자

최양규, 김성호

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2009-0071409

출원일

2009.08.03

등록번호

등록일



 7. 커패시터리스 디램, 그 쓰기방법 및 읽기방법

영문명

CAPACITORLESS DRAM, METHOD OF WRITE AND READ THEREOF

공동특허자

최양규, 최성진

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2009-0058992

출원일

2009.06.30

등록번호

등록일



 6. 커패시터리스 디램 소자

영문명

capacitorless DRAM device

공동특허자

최양규, 문동일, 한진우, 최성진

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2009-0041183

출원일

2009.05.12

등록번호

등록일



 5. 반도체 메모리 소자 및 그 구동방법

영문명

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND DRIVING METHOD THEROF

공동특허자

최양규, 최성진, 한진우

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2009-0033877

출원일

2009.04.17

등록번호

등록일



 4. 이중블록공중합체를 기반으로 한 마이셀 템플릿으로 합성된 금속 나노크리스탈이 삽입된 3차원 구조의 비휘발성 메모리

영문명

3-DIMENSIONAL NON-VOLATILE MEMORY WITH METAL NANOCRYSTALS SYNTHESIZED BY A MICELLAR TEMPLATE BASED ON A DIBLOCK COPOLYMER

공동특허자

최양규, 김청진, 류승완

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2009-0010374

출원일

2009.02.09

등록번호

등록일



 3. 단일 세포 분석 장치

영문명

APPARATUS FOR SINGLE CELL ASSAY

공동특허자

최양규, 임매순, 윤준보

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2009-0032488

출원일

2009.04.14

등록번호

등록일



 2. 충돌 이온화 금속산화반도체를 이용한 플래시 메모리

영문명

FLASH MEMORY USING IMPACT IONIZATION METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE

공동특허자

최양규, 한진우, 권순규

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2009-0010884

출원일

2009.02.11

등록번호

등록일



 1. 저항 변화 메모리

영문명

RESISTOR RANDOM ACCESS MEMORY

공동특허자

최양규, 김성호

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2009-0003763

출원일

2009.01.16

등록번호

등록일