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 15. 비휘발성 디램 소자와 그 제조방법 및 그 구동방법

영문명

NON-VOLATILE DRAM DEVICE, THE METHOD OF MANUFACTURING AND DRIVING THEREOF

공동특허자

최양규, 김청진, 류승완

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0127307

출원일

2007.12.10

등록번호

10-0893834

등록일

2009.04.10



 14. 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법

영문명

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

공동특허자

최양규, 최성진, 한진우

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0139603

출원일

2007.12.28

등록번호

10-0943646

등록일

2010.02.16



 13. 유전율-변화 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법

영문명

THE DIELECTRIC-MODULATED FIELD EFECT TRANSISTOR AND THE METHOD OF FABRICATING THE SAME

공동특허자

최양규, 임형순, 구본상

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0096674

12/014,380

출원일

2007.09.21

2008.08.08

등록번호

등록일



 12. 나노갭 소자의 제조방법

영문명

A METHODE OF NANOGAP ELECTRODE DEVICE

공동특허자

최양규, 옥타이 야리마가, 김학성, 구본상, 김영필

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0116410

출원일

2007.11.15

등록번호

등록일



 11. 유전율 변화 전계효과 트랜지스터를 이용하는 바이오센서를 갖는 약물 전달 장치

영문명

DRUG DELIVERY APPARATUS WITH BIOSENSOR USING DIELECTRIC-MODULATED FIELD-EFFECT TRANSISTOR

공동특허자

최양규, 구본상

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0096697

출원일

2007.09.21

등록번호

등록일



 10. 커패시터리스 디램 특성과 저항변화물질에 의한 비휘발성 메모리 특성을 갖는 비휘발성 디램

영문명

THE NONVOLATILE DRAM HAVING CAPACITORLESS DRAM CHARACTERISTIC AND NONVOLATILE MEMORY CHARACTERISTIC BY RESISTANCE SWITCHING MATERIAL

공동특허자

최양규, 김성호

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0077740

출원일

2007.08.02

등록번호

10-0862216

등록일

2008.10.01



 9. 수직형 나노쉘 전계효과 트랜지스터 및 융합 메모리 소자, 및 그 제조 방법

영문명

VERTICALALLY INTEGRATED NANO-SHELL FIELD EFFECT TRANSISTOR AND FUSION MEMORY DEVICE, AND THE METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

공동특허자

최양규, 김청진

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0078240

출원일

2007.08.03

등록번호

10-0220377

등록일

2009.01.19



 8. 위조방지용지

영문명

COUNTERFEIT PREVENTION PAPER AND THE METHOD TO MANUFACTURE

공동특허자

최양규, 옥타이 야리마가, 김국환, 박현규, 김태원, 정윤경

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0081090

12/189,074

출원일

2007.08.13

2008.08.08

등록번호

10-0930262

등록일

2009.11.30



 7. 커패시터리스 디램 및 그 제조 방법

영문명

CAPACITORLESS DRAM AND THE METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

공동특허자

최양규, 김성호

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0045116

출원일

2007.05.09

등록번호

10-0860744

등록일

2008.09.23



 6. 핀펫 구조의 디램 셀 트랜지스터 제조 방법

영문명

Method for Manufacturing FinFET DRAM Cell Tranasistor

공동특허자

최양규, 한진우

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0042524

출원일

2007.05.02

등록번호

10-0857087

등록일

2008.09.01



 5. 나노 전계효과트랜지스터 소자 및 그 제조 방법

영문명

THE NANO FET DEVICE ANDTHE METHOD OF FABRICATING THE SAME

공동특허자

최양규, 임형순

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0004292

출원일

2007.01.15

등록번호

등록일



 4. 3차원 전면 게이트 구조를 갖는 비휘발성 디램 셀과 그 제조방법 및 그 구동방법

영문명

VOLATILE DRAM CELL, THE METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND THE METHOD OF DRIVING THEREOF

공동특허자

최양규, 이현진, 류승완, 김청진, 이희목, 전상철, 오재섭, 이기성

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0036124

출원일

2007.04.12

등록번호

10-0871832

등록일

2008.11.27



 3. 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조방법

영문명

NON-VOLATILE MEMORY CELL AND THE METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

공동특허자

최양규, 김국환

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-002483

12/048,449

200810085039.2

출원일

2007.03.14

2008

2008.3.14

등록번호

10-0897515

ZL200810085039.2

등록일

2009.05.07

2011.02.09



 2. 비휘발성 디램 소자와 그 제조방법 및 그 구동방법

영문명

Fusion Memory Devices of Non-Volatile Flash Device and Capacitorless DRAM Device

공동특허자

최양규, 김청진, 류승완

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0022344

출원일

2007.03.07

등록번호

등록일



 1. 비휘발성 메모리 소자의 구동방법

영문명

THE DRIVING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

공동특허자

최양규, 김국환

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0012606

출원일

2007.02.07

등록번호

10-0853964

등록일

2008.08.19