Go To Mainpage


All | 2010 | 2009 | 2008 | 2007 | 2006 | 2005 | 2004

 9. 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법

영문명

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, THE METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

공동특허자

최양규, 김국환

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2006-0119559

12/048,499

2008-10085039.2

2008-065472

출원일

2006.11.30

2008.08.14

2008.08.14

2008.08.14

등록번호

10-0843336

등록일

2008.06.26



 8. 비휘발성 메모리 소자와 그 제조방법 및 구동방법

영문명

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, THE METHOD OF MANUFACTURING AND DRIVING THEREOF

공동특허자

최양규, 김성호, 류승완

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2006-0120333

출원일

2006.12.01

등록번호

10-0841235

등록일

2008.06.19



 7. 비휘발성 메모리 및 그 제조방법

영문명

NONVOLATILE MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

공동특허자

최양규, 류승완

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2006-0083271

출원일

2006.08.31

등록번호

10-0806087

등록일

2008.02.15



 6. 나노결정을 균일하게 형성하는 방법 및 나노결정을 포함하는 소자

영문명

METHOD OF FORMING UNIFORMLY DISTRIBUTED NANOCRYSTAL AND DEVICE OF INCLUDING THE NANOCRYSTAL

공동특허자

최양규, 류승완

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2006-0076058

출원일

2006.08.11

등록번호

10-0782911

등록일

2007.11.30



 5. 실리콘 온 나싱 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법

영문명

공동특허자

CHOI YANG-KYU,LEE HYUNJIN

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

2006-59716

출원일

2006.3.6

등록번호

등록일



 4.

영문명

Method of forming carbon nanotube on semiconductor substrate, method of forming semiconductor metal wire using the same, and method of fabricating inductor using the same

공동특허자

Lee Byung Chul,Lee Jeong Oen,Choi Yang Kyu,Yoon Jun-Bo

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

11461086

출원일

2006.7.31

등록번호

등록일



 3. 폴리머 메모리 소자 및 이의 제조 방법

영문명

Polymer memory device and method for fabricating the same

공동특허자

최양규, 유리은

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2006-0003922

출원일

2006.01.13

등록번호

10-0814031

등록일

2008.03.10



 2. 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리 및 이의 제조 방법

영문명

Phase change memory using carbon nano tube and method for fabricating thereof

공동특허자

최양규, 김국환

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2006-0001336

11/610,341

2006-10168098.7

2006-321082

출원일

2006.01.05

2006.12.13

2006.01.05

2006.11.29

등록번호

10-0674144

7,749,801

등록일

2007.01.18

2010.06.06



 1. 높은 광감도를 갖는 CMOS 이미지 센서 및 이의 제조 방법

영문명

Complementary Metal Oxide Semiconductor image sensor having high photosensitivity and method for fabricating thereof

공동특허자

최양규, 김국환

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2006-0001335

11/567,513

2006-10168097.2

2006-321079

출원일

2006.01.05

2006.12.06

2006.11.29

2006.12.25

등록번호

10-0767629

7,741,664

ZL 200610168097.2

등록일

2007.10.10

2010.06.22

2006.12.25