Go To Mainpage


All | 2010 | 2009 | 2008 | 2007 | 2006 | 2005 | 2004

 9. 다중기둥 구조의 트랜지스터를 갖는 씨모스 이미지 센서

영문명

Structure of CMOS Image Sensor with the Multi-Pillar Type Transistor

공동특허자

최양규, 유리은

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2005-0011051

출원일

2005.11.18

등록번호

10-0647514

등록일

2006.11.13



 8. 씨모스 이미지 센서

영문명

CMOS Image Sensor

공동특허자

최양규, 이상준, 장동윤

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2005-0055015

11/472,389

2006-10090020.8

2006-166845

출원일

2005.06.24

2006.06.22

2006.06.16

2006.06.23

등록번호

10-0638260

ZL 2006 1 0090020.8

4378363

등록일

2006.10.18

2009.09.02

2009.09.18


 7. 쇼트키-장벽 트랜지스터의 제조 방법

영문명

CMOS having elevated Source/Drain and method offabricating thereof

공동특허자

최양규, 한진우

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2005-0059071

출원일

2005.07.01

등록번호

10-0733605

등록일

2007.06.22



 6. 융기된 소스/드레인 구조를 갖는 모스 트랜지스터 및 이의 제조 방법

영문명

CMOS having elevated Source/Drain and method offabricating thereof

공동특허자

최양규, 류승완

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2005-0065680

출원일

2005.07.20

등록번호

10-0618313

등록일

2006.08.24



 5. H자형 이중 게이트 구조를 갖는 다중비트 비휘발성 메모리 소자와 이의 제조 방법 및 다중비트 동작을 위한 동작방법

영문명

Non-volatile memory having H-channel double-gate and method of manufacturing thereof and method of operating for multi-bits cell operation

공동특허자

최양규, 이현진

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2005-0033697

11/397,723

2006-1007586.0

2006-118397

출원일

2005.04.22

2006.04.21

2006.04.21

2006.04.24

등록번호

10-0680291

등록일

2007.02.01



 4. 백―바이어스를 이용하여 SOI 기판에 형성된 플래시 블록을 소거하기 위한 플래시 메모리 소자의 제조 방법, 그 소거 방법 및 그 구조

영문명

STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING FLASH MEMORY FOR ERASING FLASH BLOCK FORMED ON SOI SUBSTRATE USING BACK-BIAS, ERASING METHOD THEREOF AND FLASH MEMORY THEREOF

공동특허자

최양규, 이현진

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2005-0035142

11/380,347

2006-10076089.5

2006-122354

출원일

2005.04.27

2006.04.26

2006.04.26

2006.04.27

등록번호

10-0725112

7,491,597

등록일

2007.05.29

2009.02.17



 3. 에스오엔 모스 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법

영문명

Silicon-on-nothing Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

공동특허자

최양규, 장동윤

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2005-0022425

11/345,052

2006-10002371.9

2006-59716

출원일

2005.03.17

2006.02.01

2006.03.06

2006.01.27

등록번호

10-0583390

등록일

2006.05.18



 2. 분자소자와 바이오 센서를 위한 나노갭 또는 나노 전계효과 트랜지스터 제작방법 및 그 방법을 이용하여 제작된 분자소자와 바이오 센서

영문명

Manufacturing method of Nanogap or nanoFET for molecular device and bio-sensor and molecular device and bio-sensor manufactured using its manufacturing method

공동특허자

최양규, 김주현

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2004-0002294

11/328,789

2006-10002569.7

2006-003103

출원일

2005.01.10

2006.01.10

2006.01.10

2006.01.10

등록번호

10-0679704

2009.01.10

2009.06.10

등록일

2007.01.31

2009.06.10


 1. 부유 게이트를 감싸는 차단막 또는 접지막을 이용하여 누화(크로스-톡) 효과를 최소화하는 플래쉬 메모리 제조 방법 및 구조

영문명

Novel Flash Memory and its Manufacturing to Minimize the Cross-Talk Effect by Shielding Floating Gate Using Screen-Layer or Ground-Layer

공동특허자

최양규, 류승완

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2005-0002292

출원일

2005.01.10

등록번호

10-0734235

등록일

2007.06.26