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 11. 비대칭적인 게이트 유전막 두께와 일함수를 갖는 이중게이트 구조를 이용한 동적 쓰레드홀드 전압 모오스와2-비트 비휘발성 메모리 소자 제조 방법 및 그 구조

영문명

Dynamic threshold voltage MOS and Non-Volatile MemoryStructure for 2-Bits Cell Operation with AsymmetricalGate Dielectric Thickness and Dual Gate Work Functionand its Manufacturing

공동특허자

최양규, 이현진

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2004-0105961

2006-118397

출원일

2004.12.15

2006.4.21

등록번호

10-0629183

등록일

2006.09.21



 10. 정배열된 금속 나노점을 이용한 다중비트 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법

영문명

Non-volatile Memory with Well-ordered Metal Nanodots for Multi-bit Cell Operation and its Manufacturing

공동특허자

최양규, 이현진

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2004-0083647

출원일

2004.10.19

등록번호

10-0550452

등록일

2006.02.02



 9. 실리콘의 오리엔테이션에 따른 비등방성 식각을 이용한 수평형 전계 방출소자 및 제조방법

영문명

Lateral Field Emission Device and its Manufacturing Method Using Silicon Orientation Anisotropic Etch

공동특허자

최양규, 이현진

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2004-0081137

출원일

2004.10.11

등록번호

10-0607044

등록일

2006.07.24



 8. 비대칭적인 일함수를 갖는 이중 게이트 구조를 이용한 2비트 비휘발성 메모리 소자 제조 방법 및 그 구조

영문명

Non-Volatile Memory Structure for two Bits Cell Operation with Asymmetrical Work Function Double Gate and its Manufacturing

공동특허자

최양규, 류승완, 이현진

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2004-0087301

출원일

2004.10.29

등록번호

10-0679693

등록일

2007.01.31



 7. 이층 구조로 된 핀 전계 효과 트랜지스터 및 씨모스 인버터의 형성 방법 및 그 구조

영문명

Method for Manufacturing Three-Dimensional FinFETTransistor Having Additional Gate and StructuresThereof

공동특허자

최양규, 한진우

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2004-0082223

출원일

2004.10.14

등록번호

10-0583391

등록일

2006.05.18



 6. 추가 게이트를 갖는 3차원 핀 구조 전계 효과 트랜지스터제작 방법 및 그 구조

영문명

Method for Manufacturing Three-Dimensional FinFETTransistor Having Additional Gate and StructuresThereof

공동특허자

최양규, 한진우

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2004-0078642

출원일

2004.10.04

등록번호

10-0636015

등록일

2006.10.12



 5. 단일 기판에 형성된 SOI 핀 전계 효과 트랜지스터 및 벌크 트랜지스터 제조 방법 및 그 구조

영문명

Hybrid-Integration of SOI and Bulk Field Effect Transistor Structures and Method for Manufacturing

공동특허자

최양규, 이현진, 김주현

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2004-0077700

출원일

2004.09.30

등록번호

10-0643681

등록일

2006.11.01



 4. 둥근 실리콘 나노와이어를 이용한 다중 게이트 전계효과 트랜지스터 제조 방법 및 그 구조

영문명

공동특허자

최양규, 장동윤

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2004-0076271

출원일

2004.09.23

등록번호

10-0593369

등록일

2006.06.19



 3. 실리콘 핀과 바디가 채널로 형성된 전계 효과트랜지스터의 제작 방법 및 그 구조

영문명

Combination of Fin Channel and Ultra Thin-Body ChannelField Effect Transistor Structures and Method forManufacturing

공동특허자

최양규, 이현진

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2004-0075754

11/312,111

2005-10132690.7

2005-365431

출원일

2004.09.22

2005.12.20

2005.12.19

2005.12.20

등록번호

10-0583395

7,419,857

등록일

2006.05.18

2008.09.02



 2. 실리콘 채널 전면에 게이트가 형성된 3차원 전계효과트랜지스터 제작 방법 및 그 구조

영문명

Three-Diemensional All-Around gate Field Effect Transistor Structures and Method for Manufacturing

공동특허자

최양규, 이현진

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2004-0063128

출원일

2004.08.11

등록번호

10-0616230

등록일

2006.08.18



 1.

영문명

Methods for Fabrication of Positional and Compositionally Controlled Nanostructures on Substrate

공동특허자

Jeff Grunes, Yang-Kyu Choi, Jeffrey Bokor, Gabor Somorjai

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10599106

출원일

2004.10.14

등록번호

등록일