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 85.

영문명

METHOD FOR EXTRACTING ACCURATE MOBILITY BY USING CONDUCTIVE LENGTH FACTOR BASED ON EFFECTIVE INVERSION CHARGES OF METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR AND APPARATUS THEREOF

공동특허자

최양규, 배학열, 김충기

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

2015-0099657

출원일

2015-07-14

등록번호

등록일



 84.

영문명

RAPIDLY DISPOSABLE MEMORY WITH WATER-SOLUBLE SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

공동특허자

최양규, 배학열, 이병현, 이동일

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2015-0099661

출원일

2015-07-14

등록번호

등록일



 83. 이종접합을 이용한 밴드갭 엔지니어링 진성채널 전계효과 트랜지스터

영문명

INTRINSIC CHANNEL MOSFET USING HETEROJUNCTION TO ENGINEER THE BAND GAP OFFSET

공동특허자

최양규, 허재, 임성묵

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2013-0111686

출원일

2013-09-17

등록번호

등록일



 82. 정지마찰 현상을 이용한 예측 불가능 특성을 가지는 전자-반도체 소자의 제작 방법과 그의 보안코드로의 응용방법

영문명

ELECTRONIC DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

공동특허자

최양규, 이병현, 최지민

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2013-0082145

출원일

2013-07-12

등록번호

등록일



 81. 코팅막

영문명

COATING LAYER

공동특허자

최양규, 윤준보, 임매순, 임훤, 이주형

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2010-0075800

출원일

2010.08.06

등록번호

등록일



 80. 커패시터리스 디램 셀 및 그 제조방법

영문명

CAPACITORLESS DYNAMIC LANDOM ACCESS MEMORY AND FABRICATION METHOD THEREOF

공동특허자

최양규, 한진우, 최지민

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2010-0071736

출원일

2010.07.26

등록번호

등록일



 79. 스위치 소자 및 그 제조방법

영문명

SWITCH DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

공동특허자

최양규, 한진우, 최지민, 안재혁

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2010-0085879

출원일

2010.09.02

등록번호

등록일



 78. 액상 게이트 유전체를 갖는 전계 효과 트랜지스터와 그 제작 방법

영문명

Liquid gate dielectric embedded field effect transistor and fabrication method

공동특허자

최양규, 윤준보, 한진우, 최지민, 이정언

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2010-0078454

출원일

2010.08.13

등록번호

등록일



 77. 광유도 전하전달 물질을 이용한 나노 구조 광센서

영문명

Nano-structured photodetector with photo-induced charge transfer elements

공동특허자

최양규, 최성진, 설명록, 양지원, 이영철

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2010-0070060

출원일

2010.07.20

등록번호

등록일



 76. 전계효과 트랜지스터의 게이트 유기 드레인 누설전류를 이용한 바이오센서 및 그 제조방법

영문명

THE BIOSENSOR USING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE OF FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD

공동특허자

최양규, 최성진, 김지연

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2010-0036741

출원일

2010.04.21

등록번호

등록일



 75. 다중 적층 나노갭 구조 및 그 제조방법

영문명

THE BIOSENSOR USING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE OF FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD

공동특허자

최양규, 설명록, 김주현

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2010-0017158

출원일

2010.02.25

등록번호

등록일



 74. 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서 및 그 제조방법

영문명

The Bio-Sensor using Field Effective Transistor and Its manufacturing method

공동특허자

최양규, 한진우, 김지연

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2010-0019832

출원일

2010.03.05

등록번호

등록일



 73. 열구동 전자종이화면 장치 및 그 제조방법

영문명

Thermally driven Electronic-Paper-Display-Device and Its manufacturing method

공동특허자

최양규, 옥타이 야리마가, 박용범, 김종만, 이수미, 박현규, 김태원

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2010-0009076

출원일

2010.02.01

등록번호

등록일



 72. 마이크로-나노 복합체를 가지는 친수성과 소수성의 조절이 가능한 소자 및 그 제조방법

영문명

Device with controllable hydrophilic and hydrophobic surface using trans-scale micro-nano complex and its manufacturing method

공동특허자

최양규, 옥타이 야리마가, 안재혁

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2009-0127852

출원일

2009.12.21

등록번호

등록일



 71. 열 분포 상태 분석방법 및 테스트 필름 형성방법

영문명

THERMAL DISTRIBUTION STATE ANALYSIS METHOD AND FORMING METHOD OF TEST FILM

공동특허자

최양규, 옥타이 야리마가, 최지민, 김종만, 이수미

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2009-0087889

출원일

2009.09.17

등록번호

등록일



 70. 차지펌핑을 이용한 바이오센서, 바이오센서 소자, 바이오센서 소자의 제조방법 및 바이오 물질 검출 방법

영문명

BIOSENSOR USING CHARGE PUMPING, BIOSENSOR DEVICE, BIOSENSOR DEVICE OF MANUFACTURING METHOD AND METHOD OF DETECTING A BIO MATERIAL

공동특허자

최양규, 김성호

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2009-0071409

출원일

2009.08.03

등록번호

등록일



 69. 커패시터리스 디램, 그 쓰기방법 및 읽기방법

영문명

CAPACITORLESS DRAM, METHOD OF WRITE AND READ THEREOF

공동특허자

최양규, 최성진

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2009-0058992

출원일

2009.06.30

등록번호

등록일



 68. 커패시터리스 디램 소자

영문명

capacitorless DRAM device

공동특허자

최양규, 문동일, 한진우, 최성진

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2009-0041183

출원일

2009.05.12

등록번호

등록일



 67. 반도체 메모리 소자 및 그 구동방법

영문명

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND DRIVING METHOD THEROF

공동특허자

최양규, 최성진, 한진우

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2009-0033877

출원일

2009.04.17

등록번호

등록일



 66. 이중블록공중합체를 기반으로 한 마이셀 템플릿으로 합성된 금속 나노크리스탈이 삽입된 3차원 구조의 비휘발성 메모리

영문명

3-DIMENSIONAL NON-VOLATILE MEMORY WITH METAL NANOCRYSTALS SYNTHESIZED BY A MICELLAR TEMPLATE BASED ON A DIBLOCK COPOLYMER

공동특허자

최양규, 김청진, 류승완

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2009-0010374

출원일

2009.02.09

등록번호

등록일



 65. 단일 세포 분석 장치

영문명

APPARATUS FOR SINGLE CELL ASSAY

공동특허자

최양규, 임매순, 윤준보

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2009-0032488

출원일

2009.04.14

등록번호

등록일



 64. 충돌 이온화 금속산화반도체를 이용한 플래시 메모리

영문명

FLASH MEMORY USING IMPACT IONIZATION METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE

공동특허자

최양규, 한진우, 권순규

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2009-0010884

출원일

2009.02.11

등록번호

등록일



 63. 저항 변화 메모리

영문명

RESISTOR RANDOM ACCESS MEMORY

공동특허자

최양규, 김성호

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2009-0003763

출원일

2009.01.16

등록번호

등록일



 62. 융합 메모리 소자, 융합 메모리 소자의 제조방법 및 동작방법, 중앙처리장치 및 중앙처리장치의 구동방법

영문명

UNIFIED RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE, MANUFACTURING METHOD AND OPERATING METHOD OF UNIFIED RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE, CENTRAL PROCESSING UNIT AND METHOD FOR OPERATING CENTRAL PROCESSING UNIT

공동특허자

최양규, 김성호

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2008-0123751

출원일

2008.12.08

등록번호

등록일



 61. 고집적 반도체 융합 메모리 소자 및 그 제조방법

영문명

UNIFIED RANDOM ACCESS MEMORY AND THE METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

공동특허자

최양규, 최성진, 한진우

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2008-0137015

출원일

2008.12.30

등록번호

등록일



 60. 커패시터리스 디램 및 이의 제조 방법

영문명

THE CAPACITORLESS DRAM AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF

공동특허자

최양규, 한진우, 김동현, 김정우, 김진수, 송명호, 오재섭, 박윤창

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2008-0121159

출원일

2008.12.02

등록번호

등록일



 59. 전계효과 트랜지스터의 기생 게이트 전계효과를 이용한 바이오 센서 및 그 제조 방법

영문명

BIO SENSOR USING PARASITIC FRINGING GATE FIELD EFFECTS OF FIELD EFFECTIVE TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEROF

공동특허자

최양규, 김동현, 이광원

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2008-0103983

출원일

2008.10.23

등록번호

등록일



 58. 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법

영문명

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

공동특허자

최양규, 최성진, 한진우

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2008-0095719

출원일

2008.09.30

등록번호

등록일



 57. 바이오 센서 및 그 제조 방법

영문명

Biosensor and Method of Manufacturing Thereof

공동특허자

최양규, 김창훈, 이유준

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2008-0107504

출원일

2008.10.31

등록번호

등록일



 56. 비휘발성 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법

영문명

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

공동특허자

최양규, 김성호

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2008-0080675

출원일

2008.08.19

등록번호

등록일



 55. 비휘발성 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법

영문명

The fusion of Capacitorless DRAM and Resistance RAM and manufacturing method therof

공동특허자

최양규, 김성호

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2008-0079567

출원일

2008.08.13

등록번호

등록일



 54. 저항변화메모리 및 제조방법

영문명

The Resistance Random Access Memory and Method for Manufacturing

공동특허자

최양규, 김성호

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2008-0051403

출원일

2008.06.02

등록번호

10-0974069

등록일

2010.07.29



 53. 비휘발성 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법

영문명

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

공동특허자

최양규, 김성호

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2008-0049992

출원일

2008.05.29

등록번호

10-0946179

등록일

2010.03.02



 52. 반도체 메모리 소자의 커패시터 및 그 제조방법

영문명

CAPACITOR OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEROF

공동특허자

최양규, 김성호

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2008-0048264

출원일

2008.05.23

등록번호

등록일



 51. 초소수성 및 초발수성 표면을 갖는 패턴 및 그 형성방법

영문명

PATTERNS HAVING SUPER-HYDROPHOBIC AND SUPER-HYDROREPELLENT SURFACE AND METHOD OF FORMING THE SAME

공동특허자

최양규, 윤준보, 임매순, 이주형, 김동한

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2008-0069132

출원일

2008.07.16

등록번호

10-0981313

등록일

2010.09.03



 50. 비휘발성 디램 소자와 그 제조방법 및 그 구동방법

영문명

NON-VOLATILE DRAM DEVICE, THE METHOD OF MANUFACTURING AND DRIVING THEREOF

공동특허자

최양규, 김청진, 류승완

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0127307

출원일

2007.12.10

등록번호

10-0893834

등록일

2009.04.10



 49. 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법

영문명

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

공동특허자

최양규, 최성진, 한진우

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0139603

출원일

2007.12.28

등록번호

10-0943646

등록일

2010.02.16



 48. 유전율-변화 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법

영문명

THE DIELECTRIC-MODULATED FIELD EFECT TRANSISTOR AND THE METHOD OF FABRICATING THE SAME

공동특허자

최양규, 임형순, 구본상

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0096674

12/014,380

출원일

2007.09.21

2008.08.08

등록번호

등록일



 47. 나노갭 소자의 제조방법

영문명

A METHODE OF NANOGAP ELECTRODE DEVICE

공동특허자

최양규, 옥타이 야리마가, 김학성, 구본상, 김영필

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0116410

출원일

2007.11.15

등록번호

등록일



 46. 유전율 변화 전계효과 트랜지스터를 이용하는 바이오센서를 갖는 약물 전달 장치

영문명

DRUG DELIVERY APPARATUS WITH BIOSENSOR USING DIELECTRIC-MODULATED FIELD-EFFECT TRANSISTOR

공동특허자

최양규, 구본상

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0096697

출원일

2007.09.21

등록번호

등록일



 45. 커패시터리스 디램 특성과 저항변화물질에 의한 비휘발성 메모리 특성을 갖는 비휘발성 디램

영문명

THE NONVOLATILE DRAM HAVING CAPACITORLESS DRAM CHARACTERISTIC AND NONVOLATILE MEMORY CHARACTERISTIC BY RESISTANCE SWITCHING MATERIAL

공동특허자

최양규, 김성호

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0077740

출원일

2007.08.02

등록번호

10-0862216

등록일

2008.10.01



 44. 수직형 나노쉘 전계효과 트랜지스터 및 융합 메모리 소자, 및 그 제조 방법

영문명

VERTICALALLY INTEGRATED NANO-SHELL FIELD EFFECT TRANSISTOR AND FUSION MEMORY DEVICE, AND THE METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

공동특허자

최양규, 김청진

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0078240

출원일

2007.08.03

등록번호

10-0220377

등록일

2009.01.19



 43. 위조방지용지

영문명

COUNTERFEIT PREVENTION PAPER AND THE METHOD TO MANUFACTURE

공동특허자

최양규, 옥타이 야리마가, 김국환, 박현규, 김태원, 정윤경

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0081090

12/189,074

출원일

2007.08.13

2008.08.08

등록번호

10-0930262

등록일

2009.11.30



 42. 커패시터리스 디램 및 그 제조 방법

영문명

CAPACITORLESS DRAM AND THE METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

공동특허자

최양규, 김성호

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0045116

출원일

2007.05.09

등록번호

10-0860744

등록일

2008.09.23



 41. 핀펫 구조의 디램 셀 트랜지스터 제조 방법

영문명

Method for Manufacturing FinFET DRAM Cell Tranasistor

공동특허자

최양규, 한진우

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0042524

출원일

2007.05.02

등록번호

10-0857087

등록일

2008.09.01



 40. 나노 전계효과트랜지스터 소자 및 그 제조 방법

영문명

THE NANO FET DEVICE ANDTHE METHOD OF FABRICATING THE SAME

공동특허자

최양규, 임형순

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0004292

출원일

2007.01.15

등록번호

등록일



 39. 3차원 전면 게이트 구조를 갖는 비휘발성 디램 셀과 그 제조방법 및 그 구동방법

영문명

VOLATILE DRAM CELL, THE METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND THE METHOD OF DRIVING THEREOF

공동특허자

최양규, 이현진, 류승완, 김청진, 이희목, 전상철, 오재섭, 이기성

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0036124

출원일

2007.04.12

등록번호

10-0871832

등록일

2008.11.27



 38. 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조방법

영문명

NON-VOLATILE MEMORY CELL AND THE METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

공동특허자

최양규, 김국환

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-002483

12/048,449

200810085039.2

출원일

2007.03.14

2008

2008.3.14

등록번호

10-0897515

ZL200810085039.2

등록일

2009.05.07

2011.02.09



 37. 비휘발성 디램 소자와 그 제조방법 및 그 구동방법

영문명

Fusion Memory Devices of Non-Volatile Flash Device and Capacitorless DRAM Device

공동특허자

최양규, 김청진, 류승완

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0022344

출원일

2007.03.07

등록번호

등록일



 36. 비휘발성 메모리 소자의 구동방법

영문명

THE DRIVING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

공동특허자

최양규, 김국환

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2007-0012606

출원일

2007.02.07

등록번호

10-0853964

등록일

2008.08.19



 35. 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법

영문명

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, THE METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

공동특허자

최양규, 김국환

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2006-0119559

12/048,499

2008-10085039.2

2008-065472

출원일

2006.11.30

2008.08.14

2008.08.14

2008.08.14

등록번호

10-0843336

등록일

2008.06.26



 34. 비휘발성 메모리 소자와 그 제조방법 및 구동방법

영문명

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, THE METHOD OF MANUFACTURING AND DRIVING THEREOF

공동특허자

최양규, 김성호, 류승완

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2006-0120333

출원일

2006.12.01

등록번호

10-0841235

등록일

2008.06.19



 33. 비휘발성 메모리 및 그 제조방법

영문명

NONVOLATILE MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

공동특허자

최양규, 류승완

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2006-0083271

출원일

2006.08.31

등록번호

10-0806087

등록일

2008.02.15



 32. 나노결정을 균일하게 형성하는 방법 및 나노결정을 포함하는 소자

영문명

METHOD OF FORMING UNIFORMLY DISTRIBUTED NANOCRYSTAL AND DEVICE OF INCLUDING THE NANOCRYSTAL

공동특허자

최양규, 류승완

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2006-0076058

출원일

2006.08.11

등록번호

10-0782911

등록일

2007.11.30



 31. 실리콘 온 나싱 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법

영문명

공동특허자

CHOI YANG-KYU,LEE HYUNJIN

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

2006-59716

출원일

2006.3.6

등록번호

등록일



 30.

영문명

Method of forming carbon nanotube on semiconductor substrate, method of forming semiconductor metal wire using the same, and method of fabricating inductor using the same

공동특허자

Lee Byung Chul,Lee Jeong Oen,Choi Yang Kyu,Yoon Jun-Bo

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

11461086

출원일

2006.7.31

등록번호

등록일



 29. 폴리머 메모리 소자 및 이의 제조 방법

영문명

Polymer memory device and method for fabricating the same

공동특허자

최양규, 유리은

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2006-0003922

출원일

2006.01.13

등록번호

10-0814031

등록일

2008.03.10



 28. 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리 및 이의 제조 방법

영문명

Phase change memory using carbon nano tube and method for fabricating thereof

공동특허자

최양규, 김국환

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2006-0001336

11/610,341

2006-10168098.7

2006-321082

출원일

2006.01.05

2006.12.13

2006.01.05

2006.11.29

등록번호

10-0674144

7,749,801

등록일

2007.01.18

2010.06.06



 27. 높은 광감도를 갖는 CMOS 이미지 센서 및 이의 제조 방법

영문명

Complementary Metal Oxide Semiconductor image sensor having high photosensitivity and method for fabricating thereof

공동특허자

최양규, 김국환

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2006-0001335

11/567,513

2006-10168097.2

2006-321079

출원일

2006.01.05

2006.12.06

2006.11.29

2006.12.25

등록번호

10-0767629

7,741,664

ZL 200610168097.2

등록일

2007.10.10

2010.06.22

2006.12.25



 26. 다중기둥 구조의 트랜지스터를 갖는 씨모스 이미지 센서

영문명

Structure of CMOS Image Sensor with the Multi-Pillar Type Transistor

공동특허자

최양규, 유리은

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2005-0011051

출원일

2005.11.18

등록번호

10-0647514

등록일

2006.11.13



 25. 씨모스 이미지 센서

영문명

CMOS Image Sensor

공동특허자

최양규, 이상준, 장동윤

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2005-0055015

11/472,389

2006-10090020.8

2006-166845

출원일

2005.06.24

2006.06.22

2006.06.16

2006.06.23

등록번호

10-0638260

ZL 2006 1 0090020.8

4378363

등록일

2006.10.18

2009.09.02

2009.09.18


 24. 쇼트키-장벽 트랜지스터의 제조 방법

영문명

CMOS having elevated Source/Drain and method offabricating thereof

공동특허자

최양규, 한진우

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2005-0059071

출원일

2005.07.01

등록번호

10-0733605

등록일

2007.06.22



 23. 융기된 소스/드레인 구조를 갖는 모스 트랜지스터 및 이의 제조 방법

영문명

CMOS having elevated Source/Drain and method offabricating thereof

공동특허자

최양규, 류승완

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2005-0065680

출원일

2005.07.20

등록번호

10-0618313

등록일

2006.08.24



 22. H자형 이중 게이트 구조를 갖는 다중비트 비휘발성 메모리 소자와 이의 제조 방법 및 다중비트 동작을 위한 동작방법

영문명

Non-volatile memory having H-channel double-gate and method of manufacturing thereof and method of operating for multi-bits cell operation

공동특허자

최양규, 이현진

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2005-0033697

11/397,723

2006-1007586.0

2006-118397

출원일

2005.04.22

2006.04.21

2006.04.21

2006.04.24

등록번호

10-0680291

등록일

2007.02.01



 21. 백―바이어스를 이용하여 SOI 기판에 형성된 플래시 블록을 소거하기 위한 플래시 메모리 소자의 제조 방법, 그 소거 방법 및 그 구조

영문명

STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING FLASH MEMORY FOR ERASING FLASH BLOCK FORMED ON SOI SUBSTRATE USING BACK-BIAS, ERASING METHOD THEREOF AND FLASH MEMORY THEREOF

공동특허자

최양규, 이현진

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2005-0035142

11/380,347

2006-10076089.5

2006-122354

출원일

2005.04.27

2006.04.26

2006.04.26

2006.04.27

등록번호

10-0725112

7,491,597

등록일

2007.05.29

2009.02.17



 20. 에스오엔 모스 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법

영문명

Silicon-on-nothing Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

공동특허자

최양규, 장동윤

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2005-0022425

11/345,052

2006-10002371.9

2006-59716

출원일

2005.03.17

2006.02.01

2006.03.06

2006.01.27

등록번호

10-0583390

등록일

2006.05.18



 19. 분자소자와 바이오 센서를 위한 나노갭 또는 나노 전계효과 트랜지스터 제작방법 및 그 방법을 이용하여 제작된 분자소자와 바이오 센서

영문명

Manufacturing method of Nanogap or nanoFET for molecular device and bio-sensor and molecular device and bio-sensor manufactured using its manufacturing method

공동특허자

최양규, 김주현

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2004-0002294

11/328,789

2006-10002569.7

2006-003103

출원일

2005.01.10

2006.01.10

2006.01.10

2006.01.10

등록번호

10-0679704

2009.01.10

2009.06.10

등록일

2007.01.31

2009.06.10


 18. 부유 게이트를 감싸는 차단막 또는 접지막을 이용하여 누화(크로스-톡) 효과를 최소화하는 플래쉬 메모리 제조 방법 및 구조

영문명

Novel Flash Memory and its Manufacturing to Minimize the Cross-Talk Effect by Shielding Floating Gate Using Screen-Layer or Ground-Layer

공동특허자

최양규, 류승완

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2005-0002292

출원일

2005.01.10

등록번호

10-0734235

등록일

2007.06.26



 17. 비대칭적인 게이트 유전막 두께와 일함수를 갖는 이중게이트 구조를 이용한 동적 쓰레드홀드 전압 모오스와2-비트 비휘발성 메모리 소자 제조 방법 및 그 구조

영문명

Dynamic threshold voltage MOS and Non-Volatile MemoryStructure for 2-Bits Cell Operation with AsymmetricalGate Dielectric Thickness and Dual Gate Work Functionand its Manufacturing

공동특허자

최양규, 이현진

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2004-0105961

2006-118397

출원일

2004.12.15

2006.4.21

등록번호

10-0629183

등록일

2006.09.21



 16. 정배열된 금속 나노점을 이용한 다중비트 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법

영문명

Non-volatile Memory with Well-ordered Metal Nanodots for Multi-bit Cell Operation and its Manufacturing

공동특허자

최양규, 이현진

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2004-0083647

출원일

2004.10.19

등록번호

10-0550452

등록일

2006.02.02



 15. 실리콘의 오리엔테이션에 따른 비등방성 식각을 이용한 수평형 전계 방출소자 및 제조방법

영문명

Lateral Field Emission Device and its Manufacturing Method Using Silicon Orientation Anisotropic Etch

공동특허자

최양규, 이현진

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2004-0081137

출원일

2004.10.11

등록번호

10-0607044

등록일

2006.07.24



 14. 비대칭적인 일함수를 갖는 이중 게이트 구조를 이용한 2비트 비휘발성 메모리 소자 제조 방법 및 그 구조

영문명

Non-Volatile Memory Structure for two Bits Cell Operation with Asymmetrical Work Function Double Gate and its Manufacturing

공동특허자

최양규, 류승완, 이현진

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2004-0087301

출원일

2004.10.29

등록번호

10-0679693

등록일

2007.01.31



 13. 이층 구조로 된 핀 전계 효과 트랜지스터 및 씨모스 인버터의 형성 방법 및 그 구조

영문명

Method for Manufacturing Three-Dimensional FinFETTransistor Having Additional Gate and StructuresThereof

공동특허자

최양규, 한진우

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2004-0082223

출원일

2004.10.14

등록번호

10-0583391

등록일

2006.05.18



 12. 추가 게이트를 갖는 3차원 핀 구조 전계 효과 트랜지스터제작 방법 및 그 구조

영문명

Method for Manufacturing Three-Dimensional FinFETTransistor Having Additional Gate and StructuresThereof

공동특허자

최양규, 한진우

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2004-0078642

출원일

2004.10.04

등록번호

10-0636015

등록일

2006.10.12



 11. 단일 기판에 형성된 SOI 핀 전계 효과 트랜지스터 및 벌크 트랜지스터 제조 방법 및 그 구조

영문명

Hybrid-Integration of SOI and Bulk Field Effect Transistor Structures and Method for Manufacturing

공동특허자

최양규, 이현진, 김주현

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2004-0077700

출원일

2004.09.30

등록번호

10-0643681

등록일

2006.11.01



 10. 둥근 실리콘 나노와이어를 이용한 다중 게이트 전계효과 트랜지스터 제조 방법 및 그 구조

영문명

공동특허자

최양규, 장동윤

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2004-0076271

출원일

2004.09.23

등록번호

10-0593369

등록일

2006.06.19



 9. 실리콘 핀과 바디가 채널로 형성된 전계 효과트랜지스터의 제작 방법 및 그 구조

영문명

Combination of Fin Channel and Ultra Thin-Body ChannelField Effect Transistor Structures and Method forManufacturing

공동특허자

최양규, 이현진

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2004-0075754

11/312,111

2005-10132690.7

2005-365431

출원일

2004.09.22

2005.12.20

2005.12.19

2005.12.20

등록번호

10-0583395

7,419,857

등록일

2006.05.18

2008.09.02



 8. 실리콘 채널 전면에 게이트가 형성된 3차원 전계효과트랜지스터 제작 방법 및 그 구조

영문명

Three-Diemensional All-Around gate Field Effect Transistor Structures and Method for Manufacturing

공동특허자

최양규, 이현진

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10-2004-0063128

출원일

2004.08.11

등록번호

10-0616230

등록일

2006.08.18



 7.

영문명

Methods for Fabrication of Positional and Compositionally Controlled Nanostructures on Substrate

공동특허자

Jeff Grunes, Yang-Kyu Choi, Jeffrey Bokor, Gabor Somorjai

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

10599106

출원일

2004.10.14

등록번호

등록일



 6.

영문명

Finfet transistor structures having a double gate channel extending vertically from a substrate and methods of manufacture

공동특허자

Hu;Chenming, King;TsuJae, Subramanian;Vivek, Chang;Leland, Huang;Xuejue, Choi;YangKyu, Kedzierski

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

09695532

출원일

2000.10.23

등록번호

등록일



 5.

영문명

Method for forming wiring of semiconductor device

공동특허자

Hu;Chenming, King;TsuJae, Subramanian;Vivek, Chang;Leland, Huang;Xuejue, Choi;YangKyu, Kedzierski

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

08834295

출원일

1997.4.15

등록번호

등록일

1998.9.8



 4.

영문명

Method for the fabrication of a semiconductor device

공동특허자

최양규

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

08743750

출원일

1995.11.7

등록번호

등록일

1998.7.21



 3.

영문명

Method for fabricating stack capacitor of semiconductor device

공동특허자

최양규

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

08457222

출원일

1995.6.1

등록번호

등록일

1996.4.23



 2.

영문명

Method for forming a metal wire of a semiconductor device

공동특허자

최양규

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

08388685

출원일

1995.2.15

등록번호

등록일

1995.11.14



 1.

영문명

Process of forming contact holes

공동특허자

최양규

특허국

한   국

미   국

중   국

일   본

출원번호

08264167

출원일

1994.6.22

등록번호

등록일

1996.3.19